三星与 SK 海力士加强中国 NAND 基地，内年前推进设备投资

AI 摘要

据ZDNet Korea报道，三星电子与SK海力士计划持续对中国NAND闪存量产线进行设备投资。三星已在西安X2产线推进V9 NAND转换投资，并计划追加蚀刻设备，明年下半年起执行。SK海力士自今年三季度起推进大连2厂NAND升级，月产能约3万片，关键设备下月起进场，明年上半年完成部署。此举旨在扩大中国先进NAND产能，应对AI服务器等高端存储需求。